開催概要
| 種別 | 講習会・シンポジウム・セミナー等 |
|---|---|
| イベント名 | 第433回講習会 「次世代パワー半導体材料の精密加工技術 ～最前線の業界動向から最先端加工技術まで～」 |
| 内容 | 高温・高圧に強く、シリコンよりも優れた性能を持つ炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体(ワイドギャップ半導体)材料は、小型で低損失なパワー半導体を実現し、SDGsやDXなどの社会課題の解決に貢献する重要な材料として注目されています。しかし、これらの次世代パワー半導体材料は難加工の硬脆材であり、ウェハやデバイスの品質を保つためには、高度な加工技術の開発が必要とされています。そこで本講習会では、パワー半導体材料の精密加工技術に関心のあるエンジニア向けに、気鋭の研究者を招いてご講演頂きます。材料開発の現状や今後の展望、そして最先端の加工技術に関する最新の研究成果について紹介して頂きます。また、講習会後には対面でのご参加の皆様を対象に、名刺交換会および意見交換の場をご用意致します。皆様の積極的なご参加をお待ちしております。 |
| 開催期間 | 2023年11月17日 |
| 申込締切 | 2023年11月10日 |
| 主催/共催 | 本部 |
| 開催場所 | 中央大学 後楽園キャンパス 6号館 4階 6426教室／ライブ配信 |
| テキストの種類 | 冊子配布 |
| 詳細情報 | 詳細情報 |
| 備考 |
講習会テキスト（会員限定）
※ 講師からWeb転載の許可をいただいた原稿のみ公開しております。
| 題目 | 講師 |
| パワー半導体用大口径SiCウェハ技術の現状と今後の展望 | (国研)産業技術総合研究所 加藤 智久 |
| 新幹線N700Sの駆動システムにおけるSiCパワー半導体の利用事例と今 後の加工技術への期待 | 東海旅客鉄道(株) 福島 隆文 |
| プラズマ援用研磨およびスラリーレス電気化学機械研磨によるワイドギ ャップ半導体基板のダメージフリー加工 | 大阪大学 山村 和也 |
| 固体電解質を用いた環境調和型ECMPによるSiCウェハの高効率平滑化 | 立命館大学 村田 順二 |
| 次世代パワー半導体材料に対するレーザスライシング技術の可能性 | 埼玉大学 山田 洋平、池野 順一 |